Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
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商品の詳細

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IGBTモジュール
Created with Pixso.

コンパクトで軽量なIGBTモジュール KES650H12A8L-2M

名前

コンパクトで軽量なIGBTモジュール KES650H12A8L-2M

ブランド名: Krunter
モデル番号: KES650H12A8L-2M
詳細情報
製品の説明
詳細情報
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
ハイライト:

コンパクト IGBT モジュール

,

空間節約のIGBTモジュール

,

軽量 IGBT モジュール

製品の説明

KES650H12A8L-2M

  • トレンチFS IGBT テクノロジーの高い電源密度

  • 低VCE (座っている)

  • 平行操作が可能;対称設計と正温係数

  • 低誘導性設計

  • 統合されたNTC温度センサー

  • DBC技術を用いた隔離基板

  • 鋳造された端末でコンパクトで頑丈な設計

内部回路図

コンパクトで軽量なIGBTモジュール KES650H12A8L-2M 0

仕様のパラメータ

タイプ VBR
ウォルト		 VGS (th)
ウォルト		 ID
アムペア		 RDS (オン)
mΩ		 IDSS
uA		 TJさん 第3回 (JC)
K/W		 Ptot
ワット		 サーキット パッケージ テクノロジー
KES400H12A8L-2M 1200V 3.2V 400A 3.7mΩ 200uA 175°C 0.064 2230W 2 パック ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200V 3.2V 650A 2.2mΩ 200uA 175°C 0.064 3200W 2 パック SIC MOSFET


コンパクトで軽量なIGBTモジュール KES650H12A8L-2M 1

札: 

トランジスタモジュール  

IGBTモジュール  

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